L'SSD 850 EVO di Samsung migliora l’uso quotidiano del computer grazie a prestazioni e durata oltre qualsiasi immaginazione. Dotato della straordinaria tecnologia V-NAND di Samsung, non c'è da sorprendersi se l'850 EVO sia fra gli SSD più venduti sul mercato per le attività quotidiane. Progettato per PC e laptop convenzionali, l'850 EVO è disponibile in una vasta gamma di capacità e fattori di forma.
Grazie alla tecnologia TurboWrite, l'850 EVO ottimizza le prestazioni informatiche quotidiane, portando la velocità di scrittura sequenziale fino a 520 MB/s e la velocità di lettura sequenziale fino a 540 MB/s. Inoltre, la modalità RAPID aumenta le prestazioni raddoppiando la velocità di elaborazione dei dati a livello di sistema sfruttando la memoria inutilizzata del PC come cache.
* Questi risultati sono stati ottenuti mediante test PCMARK®7 con punteggi pari a 7,519 e 19,506 con modalità RAPID off e utilizzando un drive da 500 GB da 2,5 pollici.
L'850 EVO di Samsung garantisce prestazioni elevate e una durata ottimizzata e offre una garanzia limitata di 5 anni o fino a 150 terabyte scritti (TBW= Total Byte Written)*. In fatto di sicurezza, l'850 EVO è dotato di un motore di crittografia AES 256-bit basato su hardware, che non riduce le prestazioni ed è compatibile con soluzioni avanzate per la gestione della sicurezza, come IEEE® 1667 e TCG™ Opal. La funzione Dynamic Thermal Guard assicura, inoltre, la protezione in caso di surriscaldamento.
* 5 anni o 150 TBW (SSD da 500GB/1TB), 5 anni o 75 TBW (SSD da 250GB), in base alla prima occorrenza.
Samsung ha progettato l'850 EVO con vari fattori di forma affinché si adatti a numerosi computer. Il fattore di forma da 2,5 pollici è pensato per essere compatibile con la maggior parte dei PC e laptop, mentre i fattori di forma M.2 e mSATA, sono ideali per i mobile computing più sottili.
SAMSUNG MZ-75E500RW
Samsung MZ-75E500
Descrizione
Samsung MZ-75E500. Capacità SSD: 500 GB, Dimensione SSD: 2.5", Velocità di lettura: 540 MB/s, Velocità di scrittura: 520 MB/s, Velocità di trasferimento dati: 6 Gbit/s
Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale.
**Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***.
*TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB) .
***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.
Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare.
*Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
| Caratteristiche | |
|---|---|
| Capacità SSD | 500 GB |
| Dimensione SSD | 2.5" |
| Interfaccia | Serial ATA III |
| Tipo memoria | MLC |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s |
| Velocità di lettura | 540 MB/s |
| Velocità di scrittura | 520 MB/s |
| Lettura casuale (4KB) | 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Dimensione del buffer HDD | 512 MB |
| Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Sistema operativo Windows supportato | Sì |
| Gestione energetica | |
| Consumo di energia (in lettura) | 0,1 W |
| Consumo di energia (in scrittura) | 0,1 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,045 W |
| Dimensioni e peso | |
| Larghezza | 69,8 mm |
| Profondità | 100 mm |
| Altezza | 6,8 mm |
| Peso | 45 g |
| Condizioni ambientali | |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
| Range di umidità di funzionamento | 5 - 95% |
| Umidità | 5 - 95% |
| Vibrazione di non-funzionamento | 20 G |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
| Shock di non-funzionamento | 1500 G |
| Altre caratteristiche | |
| Colore del prodotto | Nero |
| Interno | Sì |
| Dati logistici | |
| Codice del Sistema Armonizzato (SA) | 84717070 |
Diritto di recesso
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